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TPC6009-H(TE85L,FM的技术资料
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TPC6009-H(TE85L,FM
概述
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
厂商
Toshiba
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):81 毫欧 @ 2.7A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 10V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6,供应商器件封装:VS-6(2.9x2.8)
引脚图与功能
暂无TPC6009-H(TE85L,FM的引脚图与功能信息
工作原理
暂无TPC6009-H(TE85L,FM的工作原理信息
替代产品
暂无TPC6009-H(TE85L,FM的替代产品信息
PDF资料
暂无TPC6009-H(TE85L,FM的PDF资料信息
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