SSM6P15FE(TE85L,F)技术参数_SSM6P15FE(TE85L,F)资料_SSM6P15FE(TE85L,F)引脚图

当前位置：1kic首页>IC技术参数>SSM6P15FE(TE85L,F)的技术资料

SSM6P15FE(TE85L,F)

概述

MOSFET DUAL P-CH 30V .1A ES6

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:100mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.7V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9.1pF @ 3V,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:ES6（1.6x1.6）

引脚图与功能

暂无SSM6P15FE(TE85L,F)的引脚图与功能信息

工作原理

暂无SSM6P15FE(TE85L,F)的工作原理信息

替代产品

暂无SSM6P15FE(TE85L,F)的替代产品信息

PDF资料

暂无SSM6P15FE(TE85L,F)的PDF资料信息

SSM6P15FE(TE85L,F)推荐供应商更多

北京京北通宇电子元件有限公司深圳分公司