包装:剪切带 (CT),系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:350V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 20mA，10V,功率 - 最大值:800mW,频率 - 跃迁:70MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223

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