2SK545-11D-TB-E技术参数_2SK545-11D-TB-E资料_2SK545-11D-TB-E引脚图

2SK545-11D-TB-E

概述

MOSFET J-FET N-CH CP

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):60µA @ 10V,漏源极电压 (Vdss):40V,漏极电流 (Id) - 最大值:1mA,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 1µA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1.7pF @ 10V,电阻 - RDS（开）:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:3-CP,功率 - 最大值:125mW

引脚图与功能

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工作原理

暂无2SK545-11D-TB-E的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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