NTQD6968N技术参数_NTQD6968N资料_NTQD6968N引脚图

NTQD6968N

概述

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 16V,功率 - 最大值:1.39W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）,供应商器件封装:8-TSSOP