包装:散装,系列:-,晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET,频率:12GHz,增益:13dB,电压 - 测试:2V,额定电流:60mA,噪声系数:0.65dB,电流 - 测试:10mA,功率 - 输出:125mW,电压 - 额定:4V,封装/外壳:SOT-343F,供应商器件封装:M04

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