IXTK80N25技术参数_IXTK80N25资料_IXTK80N25引脚图

IXTK80N25

概述

MOSFET N-CH 250V 80A TO-264

厂商

IXYS

参数

包装:管件,系列:MegaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):250V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:80A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6000pF @ 25V,功率 - 最大值:540W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA,供应商器件封装:TO-264AA