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IXTA3N60P的技术资料
搜索资料
IXTA3N60P
概述
MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
厂商
IXYS
参数
包装:管件,系列:PolarHV™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 50µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.8nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):411pF @ 25V,功率 - 最大值:70W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:TO-263
引脚图与功能
暂无IXTA3N60P的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IXTA3N60P的工作原理信息
替代产品
暂无IXTA3N60P的替代产品信息
PDF资料
暂无IXTA3N60P的PDF资料信息
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