包装:管件,系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.1V @ 15V，75A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200A,Current - Collector Pulsed (Icm):580A,功率 - 最大值:1040W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:350nC,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):1.5µs,封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-264

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