包装:管件,系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.8V @ 15V，10A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A,Current - Collector Pulsed (Icm):40A,功率 - 最大值:140W,Switching Energy:6mJ（关）,输入类型:标准,Gate Charge:30nC,Td (on/off) A 25°C:35ns/500ns,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):360ns,封装/外壳:TO-247-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-247AD

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