包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 7A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):69nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2204pF @ 25V,功率 - 最大值:1.79W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）,供应商器件封装:Micro8™

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