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IMH23T110的技术资料
搜索资料
IMH23T110
概述
TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA,电压 - 集射极击穿(最大值):20V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):820 @ 50mA,5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 2.5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):-,频率 - 跃迁:150MHz,功率 - 最大值:300mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-74,SOT-457,供应商器件封装:SMT6
引脚图与功能
暂无IMH23T110的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IMH23T110的工作原理信息
替代产品
暂无IMH23T110的替代产品信息
PDF资料
暂无IMH23T110的PDF资料信息
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