包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:50A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6650pF @ 10V,功率 - 最大值:30W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-100，SOT-669,供应商器件封装:LFPAK

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