包装:管件,系列:QFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1030pF @ 25V,功率 - 最大值:44W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3 整包,供应商器件封装:TO-220F

暂无FQPF9N50C的引脚图与功能信息

暂无FQPF9N50C的工作原理信息

暂无FQPF9N50C的替代产品信息

暂无FQPF9N50C的PDF资料信息