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FGA60N65SMD的技术资料
搜索资料
FGA60N65SMD
概述
IGBT 650V 120A TO-3P
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,60A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A,Current - Collector Pulsed (Icm):180A,功率 - 最大值:600W,Switching Energy:1.99mJ,输入类型:标准,Gate Charge:87nC,Td (on/off) A 25°C:18ns/104ns,Test Condition:400V, 60A, 3 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):47ns,封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-3P
引脚图与功能
暂无FGA60N65SMD的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FGA60N65SMD的工作原理信息
替代产品
暂无FGA60N65SMD的替代产品信息
PDF资料
暂无FGA60N65SMD的PDF资料信息
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