包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 5.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:SO-8

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