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FDME430NT的技术资料
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FDME430NT
概述
MOSF N CH 30V 6A MICROFET1.6
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):760pF @ 15V,功率 - 最大值:700mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-UFDFN 裸露焊盘,供应商器件封装:MicroFet 1.6x1.6
引脚图与功能
暂无FDME430NT的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDME430NT的工作原理信息
替代产品
暂无FDME430NT的替代产品信息
PDF资料
暂无FDME430NT的PDF资料信息
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