包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):50mA @ 15V,漏源极电压 (Vdss):40V,漏极电流 (Id) - 最大值:20mA,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 0.5nA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,电阻 - RDS（开）:25 欧姆,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236AB,功率 - 最大值:250mW

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