包装:带卷 (TR),系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):4mA @ 10V,漏源极电压 (Vdss):25V,漏极电流 (Id) - 最大值:-,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 0.5nA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5pF @ 10V,电阻 - RDS（开）:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）,功率 - 最大值:225mW

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