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50MT060WH

概述

IGBT WARP 600V 114A MTP

厂商

Vishay Semiconductor Diodes Division

参数

系列:-,IGBT 类型:PT,配置:半桥,电压 - 集射极击穿（最大值）:600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.2V @ 15V，100A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:114A,电流 - 集电极截止（最大值）:400µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):7.1nF @ 30V,功率 - 最大值:658W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:12-MTP,供应商器件封装:12-MTP

引脚图与功能

暂无50MT060WH的引脚图与功能信息

工作原理

暂无50MT060WH的工作原理信息

替代产品

暂无50MT060WH的替代产品信息

PDF资料

暂无50MT060WH的PDF资料信息

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