2SJ620(TE24L,Q)技术参数_2SJ620(TE24L,Q)资料_2SJ620(TE24L,Q)引脚图

2SJ620(TE24L,Q)

概述

MOSFET P-CH 100V 18A SC-97

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:18A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):140nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 10V,功率 - 最大值:125W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-97,供应商器件封装:TFP（9.2x10.7）

引脚图与功能

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工作原理

暂无2SJ620(TE24L,Q)的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

2PB-6
2V4HC
2903M
20046
2184S
2V4HS
240LD
20047
2PB-5
2V7HC