ZXM66P03N8TA技术参数_ZXM66P03N8TA资料_ZXM66P03N8TA引脚图

ZXM66P03N8TA

概述

MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.25A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 5.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1979pF @ 25V,功率 - 最大值:1.56W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOP