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UPA2590T1H-T2-AT

概述

MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF

厂商

Renesas Electronics America

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.6nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 10V,功率 - 最大值:1.24W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-WSOF,供应商器件封装:8-VSOF

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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