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UPA2211T1M-T1-AT

概述

MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM

厂商

Renesas Electronics America

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动,漏源极电压 (Vdss):12V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 7.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 10V,功率 - 最大值:1.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-WSOF,供应商器件封装:8-VSOF

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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