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TPCF8B01(TE85L,F,M

概述

MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 1.4A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 200µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):470pF @ 10V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:VS-8（2.9x1.9）

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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