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SUD50N04-8M8P-4GE3

概述

MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:50A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:8.8 毫欧 @ 20A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 20V,功率 - 最大值:48.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）

引脚图与功能

暂无SUD50N04-8M8P-4GE3的引脚图与功能信息

工作原理

暂无SUD50N04-8M8P-4GE3的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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