SSM5H12TU(TE85L,F)技术参数_SSM5H12TU(TE85L,F)资料_SSM5H12TU(TE85L,F)引脚图

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SSM5H12TU(TE85L,F)

概述

MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V UFV

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:133 毫欧 @ 1A，4V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.9nC @ 4V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):123pF @ 15V,功率 - 最大值:500mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线,供应商器件封装:UFV（2.0x2.1）

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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