包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:200mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):115pF @ 10V,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-75，SOT-416,供应商器件封装:EMT3

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