QS6U24TR技术参数_QS6U24TR资料_QS6U24TR引脚图

QS6U24TR

概述

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):90pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

引脚图与功能

暂无QS6U24TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QS6U24TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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