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QS6K21TR

概述

MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):45V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:-,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6