QS6J11TR技术参数_QS6J11TR资料_QS6J11TR引脚图

QS6J11TR

概述

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):12V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):770pF @ 6V,功率 - 最大值:600mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6