QS5U21TR技术参数_QS5U21TR资料_QS5U21TR引脚图

QS5U21TR

概述

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 1.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.2nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5,供应商器件封装:TSMT5

引脚图与功能

暂无QS5U21TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QS5U21TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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