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PD20010-E

概述

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

厂商

STMicroelectronics

参数

包装:管件可替代的包装,系列:-,晶体管类型:LDMOS,频率:2GHz,增益:11dB,电压 - 测试:13.6V,额定电流:5A,噪声系数:-,电流 - 测试:150mA,功率 - 输出:10W,电压 - 额定:40V,封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）,供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）

引脚图与功能

暂无PD20010-E的引脚图与功能信息

工作原理

暂无PD20010-E的工作原理信息

替代产品

暂无PD20010-E的替代产品信息

PDF资料

暂无PD20010-E的PDF资料信息

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