包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:430mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):175pF @ 16V,功率 - 最大值:250mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:SOT-563

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