NTS2101PT1技术参数_NTS2101PT1资料_NTS2101PT1引脚图_NTS2101PT1功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>NTS2101PT1的技术资料

NTS2101PT1

概述

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):8V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 1A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.4nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 8V,功率 - 最大值:290mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-70，SOT-323,供应商器件封装:SC-70-3（SOT323）

引脚图与功能

暂无NTS2101PT1的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NTS2101PT1的工作原理信息

替代产品

暂无NTS2101PT1的替代产品信息

PDF资料

暂无NTS2101PT1的PDF资料信息

NTS2101PT1推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询