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NTR4502PT1

概述

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.13A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 1.95A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 15V,功率 - 最大值:400mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）

引脚图与功能

暂无NTR4502PT1的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NTR4502PT1的工作原理信息

替代产品

暂无NTR4502PT1的替代产品信息

PDF资料

暂无NTR4502PT1的PDF资料信息

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