NTR1P02T3G技术参数_NTR1P02T3G资料_NTR1P02T3G引脚图

NTR1P02T3G

概述

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):165pF @ 5V,功率 - 最大值:400mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）