NTQS6463R2技术参数_NTQS6463R2资料_NTQS6463R2引脚图

NTQS6463R2

概述

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.8A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.8A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:1.39W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）,供应商器件封装:8-TSSOP

引脚图与功能

暂无NTQS6463R2的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NTQS6463R2的工作原理信息

替代产品

暂无NTQS6463R2的替代产品信息

PDF资料

暂无NTQS6463R2的PDF资料信息

NTQS6463R2推荐供应商更多

暂无NTQS6463R2的供应商

IC技术参数

NSR145B
NDT452P
NSR161B
NDT453N
NSR163B
NDT9435
NSP8814
NDV4313
NSL-32?
NDZE100