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NTD4302G

概述

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:8.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 24V,功率 - 最大值:1.04W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:DPAK-3