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NTD2955G

概述

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 25V,功率 - 最大值:55W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:DPAK-3

引脚图与功能

暂无NTD2955G的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NTD2955G的工作原理信息

替代产品

暂无NTD2955G的替代产品信息

PDF资料

暂无NTD2955G的PDF资料信息

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