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NST30010MXV6T1G的技术资料
搜索资料
NST30010MXV6T1G
概述
TRANSISTOR PNP DUAL PAIR SOT-563
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 PNP(双)配对,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V,功率 - 最大值:500mW,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563,SOT-666,供应商器件封装:SOT-563
引脚图与功能
暂无NST30010MXV6T1G的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NST30010MXV6T1G的工作原理信息
替代产品
暂无NST30010MXV6T1G的替代产品信息
PDF资料
暂无NST30010MXV6T1G的PDF资料信息
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