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NSS12200LT1G

概述

TRANSISTOR PNP 2A 12V SOT-23

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A,电压 - 集射极击穿（最大值）:12V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:180mV @ 200mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:250 @ 500mA，2V,功率 - 最大值:460mW,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）

引脚图与功能

暂无NSS12200LT1G的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NSS12200LT1G的工作原理信息

替代产品

暂无NSS12200LT1G的替代产品信息

PDF资料

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