NSB9435T1G技术参数_NSB9435T1G资料_NSB9435T1G引脚图

NSB9435T1G

概述

TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3A,电压 - 集射极击穿（最大值）:30V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:125 @ 800mA，1V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 300mA，3A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,频率 - 跃迁:110MHz,功率 - 最大值:720mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223