NJD35N04G技术参数_NJD35N04G资料_NJD35N04G引脚图

NJD35N04G

概述

TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4A,电压 - 集射极击穿（最大值）:350V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 20mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:50µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:2000 @ 2A，2V,功率 - 最大值:45W,频率 - 跃迁:90MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:DPAK-3