欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。
[ 登录 ]
[ 注册 ]
|
会员中心
|
会员服务
IC库存
搜索
热门关键词:
LM358
TL431
ULN2003
OP07
STM32F103C8T6
首页
求购信息
非IC供求
电子知识
电子芯闻
免费信息
代理商名录
技术参数
IC图库
IC现货商城
当前位置:
1kic首页
>
IC技术参数
>
NE5517DR2的技术资料
搜索资料
NE5517DR2
概述
IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,放大器类型:跨导,电路数:2,输出类型:推挽式,压摆率:50 V/µs,增益带宽积:2MHz,-3db 带宽:-,电流 - 输入偏置:400nA,电压 - 输入失调:400µV,电流 - 电源:2.6mA,电流 - 输出/通道:650µA,电压 - 电源,单/双 (±):4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V,工作温度:0°C ~ 70°C,安装类型:表面贴装,封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:16-SOIC
引脚图与功能
暂无NE5517DR2的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NE5517DR2的工作原理信息
替代产品
暂无NE5517DR2的替代产品信息
PDF资料
暂无NE5517DR2的PDF资料信息
NE5517DR2推荐供应商
更多
汇成电子(香港)有限公司
深圳市邦盛达电子有限公司
IC技术参数
更多
NE555
NE5537N
NE5538N
NE5539D
NE5539F
NE5539N
NE5534N
NE5534P
NE5535N
NE5537D
关于1kic网
|
帮助中心
|
广告服务
|
粤ICP备14005348号
1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询