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NDT456P

概述

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 7.5A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):67nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1440pF @ 15V,功率 - 最大值:1.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223-3

引脚图与功能

暂无NDT456P的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NDT456P的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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