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NDS9958

概述

MOSFET N+P 20V 3A 8-SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):525pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N