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NCP3418DR2

概述

IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,配置:高端和低端，同步,输入类型:PWM,延迟时间:30ns,电流 - 峰值:1.5A,配置数:1,输出数:2,高压侧电压 - 最大值（自举）:30V,电压 - 电源:4.6 V ~ 13.2 V,工作温度:0°C ~ 85°C,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

暂无NCP3418DR2的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NCP3418DR2的工作原理信息

替代产品

暂无NCP3418DR2的替代产品信息

PDF资料

暂无NCP3418DR2的PDF资料信息

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