MJD112G技术参数_MJD112G资料_MJD112G引脚图

MJD112G

概述

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A,电压 - 集射极击穿（最大值）:100V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A,电流 - 集电极截止（最大值）:20µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 2A，3V,功率 - 最大值:1.75W,频率 - 跃迁:25MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:DPAK-3