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IXTA2N100P

概述

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

厂商

参数

包装:管件,系列:Polar™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV),电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24.3nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):655pF @ 25V,功率 - 最大值:86W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:TO-263

引脚图与功能

暂无IXTA2N100P的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IXTA2N100P的工作原理信息

替代产品

暂无IXTA2N100P的替代产品信息

PDF资料

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